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ボッシュプロセスによるパターン幅50 μm で深さ128 μmの高速Si深掘り加工。レジストマスクとの選択比を十分に取り、形状を制御しつつ、エッチングレート 18 μm/minの深掘りを実現しています。
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RIE-400iPB
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