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ø30 nmのナノピラー形成
ボッシュプロセスによる極微細なSiの深掘り。ø30…
使用している製品
RIE-800iPB
RIE-800BCT
RIE-400iPB
アスペクト比80のSi深掘り
ボッシュプロセスによるパターン幅80 nm 深さ6…
ø70 nmのナノホール加工
ボッシュプロセスによる極微細なSiの深掘り加工例。…
18 μm/minの高速Si深掘り
ボッシュプロセスによるパターン幅50 μm で深さ…
マイクロエミッターアレイの作製
イオン液体を推進剤に用いる超小型衛星推進デバイス。…
ねじり梁型共振ミラーの作製
レーザーの角度を変えて空間を走査するデバイス。トッ…
深さ450 μmのピラー加工
シリコン深掘り装置RIE-800iPBにより、□3…
深さ400 μm順テーパー加工
ø8インチウエハで深さ400 μm、ホール径ø15…
アスペクト比52のSi深掘り
ボッシュプロセスに対応したICPエッチング装置にて…
ポストカラムミキサーの作製
成分の分離状態を維持しつつ高い混合特性を有するピラ…
アスペクト比23のSi深掘り
研究開発用シリコン深掘り装置RIE-400iPBに…
深さ500 μmの貫通加工
インプリント用の型の作製
マイクロ流路の作製
《大阪大学 谷口研究室 ご提供》 研究開発用シリコ…
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