当社の製品を使った、最先端のプロセスデータをご紹介します。
CVD
ドライエッチング
シリコンの加工
- ø30 nmのナノピラー形成
- アスペクト比80のSi深掘り
- ø70 nmのナノホール加工
- 18 μm/minの高速Si深掘り
- マイクロエミッターアレイの作製
- ねじり梁型共振ミラーの作製
- 深さ450 μmのピラー加工
- 深さ400 μm順テーパー加工
- アスペクト比52のSi深掘り
- ポストカラムミキサーの作製
- アスペクト比23のSi深掘り
- 深さ500 μmの貫通加工
- インプリント用の型の作製
- マイクロ流路の作製
- ナノポアデバイスの作製
- ナノインプリントモールド
- Poly-Siの20nm幅加工
- FED用エミッタチップ
- マイクロタス(Micro-TAS)
- 欠陥解析
- ｼﾘｶﾄﾛｲﾄﾞ微小光共振器
- パリレンの可動体
- 螺旋状の構造体