当社は大面積基板ステージの採用により生産性の大幅な向上を実現したLED製造プロセス用のGaN（窒化ガリウム）、サファイアといった化合物半導体プロセス用高密度プラズマエッチング装置の新製品（Model: RIE-330iP/iPC）の販売を2008年11月25日より開始しました。

　『RIE-330iP/iPC』は、これまで培ってきた化合物半導体向け高密度プラズマエッチング装置での豊富な経験にもとづいて開発されたLED製造プロセス用のドライエッチング装置です。当社はLEDのさらなる生産増加に対応すべくφ330mm のトレー対応機を開発し、φ300mmのトレー対応の従来機に対して、生産性を30～40%向上させています。

　化合物半導体用の小径ウエハーの多数枚処理では、良好な均一性が得られにくいことが最大の問題となっていた。『RIE-330iP/iPC』では特許出願中の新型コイルSSTC（Symmetrically Shielded Tornado Coil）を搭載しており、コイルの形状、電力の印加方法など独自の方法により大口径化に伴う均一性の問題を克服しました。

　Φ2インチウエハーなら27枚、Φ2.5インチでは17枚、Φ3インチでは12枚、Φ4インチでは7枚、Φ6インチでは3枚の同時処理が可能となっています。330mmの中央を含めた均一性±3～5%、エッチングレート毎分120nmでの大量バッチ処理を可能にし、世界最高レベルの装置性能を実現しています。

　『RIE-330iP』が基本タイプであり、トレーカセットに対応した真空カセット室採用の本格量産装置として『RIE-330iPC』をラインアップしています。全自動バッチ処理が可能であり、データ管理用コンピュータにより同時にプロセス管理やデータのロギングが可能です。また、LED製造プロセス用のGaNについて専業メーカーとして豊富なプロセスデータを有しており受注から生産までのリードタイムを他社と比較して大幅に短縮することができます。

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