製品情報ICPエッチング装置 RIE-350iPC

RIE-350iPCは、放電形式に誘導結合プラズマ（Inductively Coupled Plasma）を採用した化合物半導体プロセス用多数枚同時処理用ICPエッチング装置です。本装置はø350mmの大型トレイに対応しています。従来のトルネードICPを発展させた新型ICPソースであるHSTC™（Hyper Symmetrical Tornado Coil）電極の搭載で、大面積に対して均一性に優れたエッチングを実現しています。

ø350mmの大型トレイに対応

ø4"×8、ø6"×3枚のウエハの同時処理が可能です。

新型ICPソース "HSTC™" の採用

大面積に対して均一性に優れたエッチングを実現しています。

・GaNの垂直エッチング、逆テーパーエッチング

・PSS (Patterned Sapphire Substrate) 加工