製品情報ICPエッチング装置 RIE-350iPC

本装置は、放電に誘導結合プラズマ方式を採用したICP (Inductively Coupled Plasma) エッチング装置です。独自のICPソースであるHSTC™ (Hyper Symmetrical Tornado Coil) を搭載し、⌀350 mmの大面積に対して均一性に優れた加工を実現します。真空カセット室を備え、優れたプロセス再現性を誇ります。ø350 mmのトレイを用いることで、小径ウエハの多数枚同時処理が可能で、トレイのザグリ形状を変えることで様々なサイズに対応でき、汎用性に優れています。

• ICPソース「HSTC™」により高RFパワーを効率よく安定して印加可能
• ESC（静電チャック）とHeによる安定したウエハ温度制御
• 対称なガスフローによる良好な均一性を実現する四方向排気システム
• ø350 mmトレイによる小径ウエハの多数枚同時処理
• 干渉型および発光分光型のエンドポイントモニターによる終点検出が可能（オプション）

• 大面積角基板の加工
• 化合物半導体の垂直エッチング、逆テーパーエッチング
• PSS (Patterned Sapphire Substrate) 加工