繁體中文
简体中文
日本語
Asia - English
US - English
MENU
close
設備
化學氣相沉積
原子層沉積
電漿CVD
液態源CVD
DLC膜沉積
蝕刻
ICP蝕刻
矽深蝕刻
反應性離子蝕刻
XeF2蝕刻
表面處理
水蒸気電漿洗淨
電漿洗淨
紫外線臭氧洗淨
製程
化學氣相沉積
ALD
SiH4-SiNx
SN2-SiNx
TEOS-SiO2
蝕刻
GaN
GaAs
InP
SiC
Si DRIE
Si
SiO2
Sapphire
表面處理
金屬還原
表面改質
新聞中心
最新消息
活動預告
每季營運報告
技術研究
影片
公司介紹
公司簡介
全球據點
公司歷史
聯絡我們
聯絡我們
服務支援
人才招募
繁體中文
简体中文
日本語
Asia - English
US - English
close
Tech News
Home
Tech News
SiO2 and SiN etching by Low Global Warming Potential Gas
SiO2 and SiN etching by Low Global Warming Potential Gas
Tweet
Prev
List
Next
↑