矽深蝕刻(Si DRIE)系統 RIE-802BCT
雙腔體系統
概要
RIE-802BCT採用電感耦合電漿（ICP）並搭載了2個反應腔體，是生產用途型的矽深蝕刻設備。
這台設備的標準配備另外包含大氣晶圓裝卸腔體、晶圓邊緣保護環以及晶圓定位感測器。
這台設備亦可在維持高蝕刻速率和高選擇性的同時進行高深寛比（100以上）和低側壁波紋的加工。
特色
100以上的高深寬比蝕刻
獨特的電漿源和反應腔體構造可在維持垂直蝕刻形狀的狀態下進行高長寬比的加工。
低側壁波紋加工
透過快速切換反應氣體可在維持蝕刻速率的同時減少側壁波紋。
豐富的製程數據庫
2003年，莎姆克作為日本的設備製造商最先取得博世製程的授權。之後便一直持續累積相關製程的經驗，可為客戶提供各種形狀和材料的加工數據。
應用
- MEMS（加速度感測器、陀螺儀、壓力感測器、致動器等）的製作
- 矽穿孔 (TSV)
- 噴墨印表機噴頭加工
- 功率器件（超接合面MOSFETs）
- 電漿切割
