矽深蝕刻(Si DRIE)系統RIE-400iPB
開發研究專用經濟版系統

概要

RIE-400iPB是矽深蝕刻設備，可對應MEMS和電子零件所需的博世製程。RIE-400iPB是將生產型設備RIE-800iPB改造成適合研發目的的設備，導入德國博世公司的矽深蝕刻專利權，對於MEMS和TSV等製程中關於高速矽蝕刻以及高長寬比的要求均可達成。

特色

高速矽深蝕刻
專為博世製程設計的獨特電漿源及反應腔體構造, 可實現高速的矽深蝕刻。

可維持蝕刻速率並減少側壁波紋
透過快速切換反應氣體來維持蝕刻速率並減少側壁波紋的產生。

可蝕刻SiO₂
交換專用的ICP線圈即可加工SiO₂。


應用

  • MEMS（加速度感測器、陀螺儀、壓力感測器、致動器等）製造
  • μTAS等的醫療器件的加工

索取資料