矽深蝕刻

爲了MEMS原件加工及TSV導通孔蝕刻, Samco推出了矽深蝕刻反應離子(DRIE)系統. Samco是日本第一家半導體設備廠商提供使用Bosch製程的DRIE系統. 我們的系統具有領先業界的製程能力, 且產品線涵蓋R&D及量產雙方的需求. 也有針對高產量的生產, 配備兩個反應腔的設備.

特色

    • 領先業界的蝕刻速率(超過50μm/min)
    • 高選擇比(矽對光阻超過250:1)
    • 均匀性±5%或更好(ø4, 6, 及 8吋晶圓)
    • 高深寬比(大於100:1)
    • 低扇形缺陷, 平滑的側壁(小於0.1 μm的扇形缺陷)
    • 有專利的雙頻絕緣層覆矽(SOI)製程上的防凹口作用(anti-notch)的技術
    • 獨特的反傾斜功能, 確保高度均匀性
    • 靜電吸盤及氦氣基板背面冷卻功能(晶圓上的溫度控制)
    • ICP電漿源可改爲SiO2薄膜DRIE專用

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