感應耦合式電漿蝕刻(ICP-RIE)系統RIE-400iPC
不占空間的量產型系統
概要
RIE-400iPC卡匣式裝載ICP-RIE等離子蝕刻設備利用高密度感應耦合等離子體（ICP）實現精確蝕刻。該設備最大可處理直徑100公釐（4英吋）的晶圓，配備先進的ICP源、溫度控制電極和高流量排氣系統，所有這些都集成在一個緊湊、節省空間的設計中。該設備提供可靠且卓越的製程控制，確保在廣泛的蝕刻應用中實現優秀的蝕刻效率，包括GaN、GaAs、InP、SiC和各種其他材料。
特色
新的ICP電漿源"HSTC™: Hyper Symmetrical Tornado Coil(超對稱旋渦線圈)
能有效且穏定地使用高功率射頻(2 kW or more)同時保持良好的均勻性.
高排氣系統
排氣系統直接連接反應室可提供小氣流, 小氣壓到大氣流大氣壓的多種條件的製程.
終點監測(選配)
利用干涉式及分光式光譜的終點監測儀. 可以偵測, 所需蝕刻的膜厚終點.
易於保養的設計
渦輪真空幫浦(TMP) 整合為1個組件. 易於更換.
應用
專為化合物半導體(例如: GaN, GaAs, InP. ettc)的高精密製程.
SiC及SiO₂的高速製程.
蝕刻鐵電性材料(PZT, BST, SBT, SBT), 電極材料 (Pt, Au, Ru, Al) 以及其他難蝕刻的材料
