感應耦合式電漿蝕刻(ICP-RIE)系統RIE-400iP
饋刻氮化鎵(GaN), 砷化鎵(GaAs), 磷化銦(InP) & 碳化矽(SiC)
概要
RIE-400iP是load lock型蝕刻設備. 最大可對應ø4"晶圓. 可蝕刻多種半導體及絕緣層且保持高精度及良好均勻性. 利用特殊龍捲線圈(Tornado Coil)的感應耦合式電漿(ICP), 放電產生均勻及高密度的電漿. 可以依材料的製程及加工方式選擇適當的電漿源.
特色
新的感應耦合式電漿源(ICP Source) "HSTC™: 超對稱龍捲線圈(Hyper Symmetrical Tornado Coil)
高射頻RF電流(2 kW or more) 可達成有效, 穩定及優質均勻性.
高排氣量
排氣系統直接與反應室連結, 能具有從小流量(氣體)及低壓力到高流量(氣體)高壓力的廣泛參數空間.
終點偵測(Endpoint monitoring)
可加裝干涉式及分光式終點偵測器(EPD), 偵測欲蝕刻的膜厚終點.
易於保養的設計
渦輪分子泵浦 (turbomolecular pump)及高頻電源供應器是為一體形, 容易進行更換
應用
化合物半導體的高精度蝕刻. 例如: 氮化鎵(GaN), 砷化鎵(GaAs), 磷化銦(InP) 等.
半導體雷射及光子晶體元之生產
選項
干涉式終點偵測器(選配)
可進行高精度偵測. 可控制希望達到的蝕刻深度.
