感應耦合式電漿蝕刻(ICP-RIE)系統RIE-350iPC
Max. ø350mm的傳送載盤(tray).
概要
採用電感偶合式電漿(inductively coupled plasma)放電模式的載盤(Tray)傳送型高密度電漿蝕刻系統. Ｍax.ø350mm可處理多片的批次製程. 堅固及可靠的硬體及卓越製程控管的高生產力, 符合多種蝕刻製程的產品。例如: power devices, microLEDs, VCSELs, LDs, capacitors及RF filters.
特色
- 最大可加工 ø350 mm (ø3" x 12, ø4" x 8, ø12" x 1)
- 先進的ICP電漿源"HSTC™: Hyper Symmetrical Tornado Coil(超對稱旋渦線圈)能有效地提供均匀,高精度電漿. 大基板也能均匀地蝕刻.
- 對稱勻稱的排氣連接到TMP的設計, 產生有效率的排氣氣流.
- 最佳化的氣體集合管(Gas manifolds)傳送均勻的工藝氣體.
- 選配的分光式/干涉式終點偵測系統, 精準地管控不同制蝕刻深度的製程.
應用
- GaN, GaAs, InP等高精密製程
- SiN及SiO2的蝕刻
- 蝕刻介電質及金屬
- PSS (Patterned Sapphire Substrate) 加工高亮度發光二極管
