感應耦合式電漿蝕刻(ICP-RIE)系統RIE-230iPC
多方位真空晶圓裝卸(cassette)系統
概要
採用電感偶合式電漿(inductively coupled plasma)放電模式的ICP電漿蝕刻系統. 具備真空晶圓裝卸(cassette)室. 提供給多種材料的超精緻高速製程. 搭載獨特旋渦線圈電極, 能有效率地產生穏定及高密度的電漿. 蝕刻精度高的矽晶, 多種金屬及化合物薄膜的異向性蝕刻. 再加上, ø230mm的載盤, 可同時加工多片的化合物半導體.
特色
獨特旋渦線圈電極
可以有效率地產生穏定, 高密度的電漿, 以達成高選擇比, 精確及良好的均勻性蝕刻.
低損害製程
ICP產生的高密度電漿可以達成底偏壓(Low-bias), 低損害(Low-damage)製程.
溫度控制
氦氣冷卻E-chuck及反應室內部側壁, 可以在穏定條件下進行蝕刻.
應用
GaN, GaAs, InP,等化合物半導體的高精細製程
加工難蝕刻材料. 例如: 鐵電性及電極材.
