感應耦合式電漿蝕刻(ICP-RIE)系統RIE-230iP
多方位loadlock系統
概要
採用電感偶合式電漿(inductively coupled plasma)放電模式的load-lock ICP電漿蝕刻系統. 提供給多種材料的超精緻高速製程. 搭載獨特旋渦線圈電極, 能有效率的產生穏定及高密度的電漿, 蝕刻精度高的矽晶, 多種金屬及化合物薄膜的異向性蝕刻. 再加上, ø230mm的載盤, 同時加工多片的化合物半導體.
特色
- 最大可以加工ø230mm (ø3" x 5, ø4" x 3, ø8" x 1)的製程
- Samco的獨特旋渦線圈(Tornado ICP™) 可以有效率地產生穏定, 高密度的電漿, 以達成高選擇比, 精確及良好的均勻性蝕刻.
- 對稱勻稱的排氣連接到TMP的設計, 產生有效率的排氣氣流.
- 最佳化的氣體集合管(Gas manifolds)傳送均勻的工藝氣體.
- 選配的分光式/干涉式終點偵測系統, 精準地管控不同蝕刻深度的製程.
- 氦氣冷卻E-chuck及反應室內部側壁, 可以在穏定條件下進行蝕刻
應用
- GaN, GaAs, InP,等化合物半導體的高精細製程
- 加工難蝕刻材料. 例如: 鐵電性及電極材.
Papers
- Tran, B. T., Hirayama, H., Maeda, N., Jo, M., Toyoda, S., & Kamata, N. (2015). Direct growth and controlled coalescence of thick AlN template on micro-circle patterned Si substrate. Scientific reports, 5(1), 1-6.
- Zhao, X., & del Alamo, J. A. (2014). Nanometer-scale vertical-sidewall reactive ion etching of InGaAs for 3-D III-V MOSFETs. IEEE Electron Device Letters, 35(5), 521-523.
- Mori, T., Yamashita, N., Kasa, H., Fukumi, K., Kintaka, K., & Nishii, J. (2009). Periodic sub-wavelength structures with large phase retardation fabricated by glass nanoimprint. Journal of the Ceramic Society of Japan, 117(1370), 1134-1137.
- Lin, J., Antoniadis, D. A., & del Alamo, J. A. (2015, May). A CMOS-compatible fabrication process for scaled self-aligned InGaAs MOSFETs. In Proc. CS MANTECH (pp. 239-242).
- Kolodziejski, L. A., & Ippen, E. P. (2008). Advanced Plasma Etching of Complex Combinations of III-V Heterostructures. MASSACHUSETTS INST OF TECH CAMBRIDGE RESEARCH LAB OF ELECTRONICS.
