感應耦合電漿蝕刻
爲了滿足R&D及量產等各個客戶對高密度電漿製程的需求, Samco推出了許多專業級電感偶合式電漿蝕刻(ICP)系統. 我們可靠, 耐用及精緻的ICP蝕刻系統可讓您處理多種類的材料(三五族化合物半導體(GaN, GaAs, InP), 矽晶, SiC, 石英, 玻璃, 電介質及金屬).
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感應耦合式電漿蝕刻(ICP-RIE)系統RIE-400iP
饋刻氮化鎵(GaN), 砷化鎵(GaAs), 磷化銦(InP) & 碳化矽(SiC)
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感應耦合式電漿蝕刻(ICP-RIE)系統RIE-400iPC
不占空間的量產型系統
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感應耦合式電漿蝕刻(ICP-RIE)系統RIE-230iP
多方位loadlock系統
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感應耦合式電漿蝕刻(ICP-RIE)系統RIE-230iPC
多方位真空晶圓裝卸(cassette)系統
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感應耦合式電漿蝕刻(ICP-RIE)系統RIE-802iPC
雙腔體系統
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感應耦合式電漿蝕刻(ICP-RIE)系統RIE-800iPC
極佳的重複性及穏定性
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感應耦合式電漿蝕刻(ICP-RIE)系統RIE-350iPC
載盤(Tray)方式的製程
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感應耦合式電漿蝕刻(ICP-RIE)系統RIE-800iP
極佳的重複性及穏定性
特色
- 高蝕刻速率
- 極佳的均匀性
- 優越的基板DC偏壓及離子能量控制
- 利用ESC的精準的晶圓控溫. 範圍從 -10ºC 到 +200ºC.
- 廣汎的製程參數
尖端科技, 例如:MicroLEDs, 鐳射二晶體, SiC功率器件, GaN射頻元件, SAW/BAW濾波器, 電容及MEMS元件, 都是未來10年被高度期待會有更多的創新. 化合物半導體就是上述元件的材料, 其微細的加工需要更精細的電漿蝕刻製程. Samco的先進感應耦合電漿蝕刻(ICP)系統善於化合物半導體元件製程. ICP蝕刻系統更達成比一般的的電容耦合電漿反應離子蝕刻(CCP-RIE)高出1000倍的電漿密度. 如此可以有更廣大的製程範圍. 然而, 在ICP蝕刻系統内要獲得均匀的電漿並不容易. Samco開發了 立體3D的線圈Tornado ICP™, 可形成高度均匀的電漿.
(a) Tornado ICP™形成的電場等位線
(b) Tornado ICP™形成的磁場
爲了改善Tornado ICP™的可靠性及性能, Samco進行了電磁場模擬. 利用這一些模擬, 我們獲知可以達到最均匀的最佳組合. Tornado ICP™蝕刻系統不只是在化合物半導體上達成高度均匀性, 快速率, 高對比蝕刻, 在多家不同產業的企業及研究室的矽材及金屬薄膜也能有同樣的表現.