ø300 mm 反應離子蝕刻(RIE)系統 RIE-300NR
最大可處理ø300 mm (12吋)
概要
RIE-300NR是對要求ø300mm及多種尺寸 (ø3" x 12片, ø4" x 8片等)晶圓的極佳均匀性製程, 最理想的1台蝕刻系統. 此系統是針對減少工廠空間, 提高產量, 稼動時間最大化而設計. 同時可靠的硬體及易於保養性可減少持有人的成本負擔。
特色
- 最大可處理 ø350 mm (ø3" x 12, ø4" x 8, ø12" x 1)
- 人性化的觸控面板介面.
- “one-button”的全自動操作, 也可以改爲完全手動.
- 最佳化的噴氣頭(shower head)可產生均匀的製程氣體.
- 短距的氣體盒可減少滯留時間.
- 和渦輪分子泵連接的對稱排氣可產生有效率的氣流.
- 不受氣體流量影響的獨立自動壓力控制，可精準控制製程壓力
- 乾式真空幫浦及系統的配置，易於進行維修保養.
應用
- 去除夾層薄膜進行 ø300mm晶圓失敗分析.
- 蝕刻Si, SiO2, SiN 及 Poly-Si
- 蝕刻及去除半導體用樹脂
- 光阻灰化(ashing), 剝離(stripping)及清除(descuming).
- 表面改質 (親水性及黏著力改善)
