反應離子蝕刻(RIE)系統 RIE-200NL
極佳的再現行及穩定性
概要
RIE-200NL是具有初真空腔體(Loadlock Chamber)的反應離子(RIE)蝕刻系統, 改善了再現性且可以使用腐蝕性化學氣體. 最佳化的反應室設計提供 ø8吋晶圓或使用ø220 mm載盤的小片處理都能有良好的均匀性. 此系統可精準的控制側壁形狀及不同材料之間的高選擇比。圓滑及精簡的外形設計, 不占無塵室的空間.
特色
- 最大可處理 ø220 mm (ø3” x 5, ø4” x 3, ø8” x 1).
- 四方對稱的排氣設計改善蝕刻的均一性.
- 反應腔體藉由初真空腔體(Loadlock Chamber)與外氣隔絕, 可改善再現性及使用腐蝕性化學氣體.
- 電腦化的觸控面板提供友善界面的程式控制及質料儲存.
- 自動壓力控制可不受氣體流量的影響精密地控制製程壓力.
- 乾式真空幫浦及系統擺置易於進行保養.
- 不占無塵室的圓滑, 精簡設計
應用
- 利用腐蝕性氣體的蝕刻化合物半導體. 例如GaN, GaAs, InP, etc.
- 蝕刻種材料. 例如Si, SiO2, SiN, Poly-Si, Al, Mo, Pt, Polyimide, etc.
- 故障分析時的層次蝕刻選擇.
