感應耦合電漿蝕刻
爲了滿足R&D及量產等各個客戶對高密度電漿製程的需求, Samco推出了許多專業級電感偶合式電漿蝕刻(ICP)系統. 我們可靠, 耐用及精緻的ICP蝕刻系統可讓您處理多種類的材料(三五族化合物半導體(GaN, GaAs, InP), 矽晶, SiC, 石英, 玻璃, 電介質及金屬).
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感應耦合式電漿蝕刻(ICP-RIE)系統RIE-400iP
饋刻氮化鎵(GaN), 砷化鎵(GaAs), 磷化銦(InP) & 碳化矽(SiC)
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感應耦合式電漿蝕刻(ICP-RIE)系統RIE-400iPC
不占空間的量產型系統
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感應耦合式電漿蝕刻(ICP-RIE)系統RIE-230iP
多方位loadlock系統
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感應耦合式電漿蝕刻(ICP-RIE)系統RIE-230iPC
多方位真空晶圓裝卸(cassette)系統
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感應耦合式電漿蝕刻(ICP-RIE)系統RIE-802iPC
雙腔體系統
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感應耦合式電漿蝕刻(ICP-RIE)系統RIE-800iPC
極佳的重複性及穏定性
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感應耦合式電漿蝕刻(ICP-RIE)系統RIE-350iPC
載盤(Tray)方式的製程
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感應耦合式電漿蝕刻(ICP-RIE)系統RIE-800iP
極佳的重複性及穏定性
矽深蝕刻
爲了MEMS原件加工及TSV導通孔蝕刻, Samco推出了矽深蝕刻反應離子(DRIE)系統. Samco是日本第一家半導體設備廠商提供使用Bosch製程的DRIE系統. 我們的系統具有領先業界的製程能力, 且產品線涵蓋R&D及量產雙方的需求. 也有針對高產量的生產, 配備兩個反應腔的設備.
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矽深蝕刻(Si DRIE)系統RIE-400iPB
研發用途型蝕刻設備
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矽深蝕刻(Si DRIE)系統 RIE-800iPB
最大可對應ø8"晶圓
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矽深蝕刻(Si DRIE)系統 RIE-800BCT
可配置2個晶圓裝卸腔體的生產型設備
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矽深蝕刻(Si DRIE)系統 RIE-802BCT
雙反應腔體生產型設備
反應離子蝕刻
Samco提供可靠及耐久的反應離子蝕刻(RIE)系統給R&D及量產客戶. 省空間的精小RIE蝕刻系統適合學術上的使用及IC的失效分析芯片處理. 大氣下直接取放的RIE系統提供廣汎的製程範圍給電漿蝕刻多種材料(矽, 介電質層, 化合物半導體，金屬, 高分子層及光阻). 晶圓盒裝卸的RIE系統能提升半導體元件製造的產出量.
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反應離子蝕刻(RIE)系統RIE-10NR
精巧小體積低價系統
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反應離子蝕刻(RIE)系統 RIE-200NL
極佳的再現性
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晶圓裝卸式(Cassette Loading)反應離子(RIE)蝕刻系統 RIE-200C
高產量系統
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ø300 mm 反應離子蝕刻(RIE)系統 RIE-300NR
晶圓尺寸可達ø300 mm (12吋)
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精簡蝕刻機 RIE-1C
精小簡易桌上型系統
矽材犧牲層蝕刻(XeF2)
Samco的二氟化氙(XeF2)蝕刻系統, 主要用於MEMS(微機電系統)元件加工時的矽材犧牲層的蝕刻. 乾式製程可以避免濕式蝕刻因摩擦而破壞元件的問題, 也可以省下濕式蝕刻時所需要的前置及後段處理. 這也是1台桌上型的精小設計系統.
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矽材犧牲層蝕刻系統 VPE-4F
精小桌上型系統