電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)設備 PD-2201LC
節省空間的量產型設備
概要
PD-2201LC是專門為沉積各種矽系膜(SiO₂、SiN等)的大氣壓晶圓承載式(cassette)量產用途電漿CVD設備。根據客戶的需求可使用晶圓承載盤同時處理多片晶圓，亦可進行單片處理。另外，單片處理方式可將晶圓裝載腔體變更為真空腔體以進行連續處理。
特色
可大範圍的控制薄膜特性
針對SiN膜的沉積，薄膜應力可控制在張應力800MPa～壓應力200MPa的範圍內。此外，透過變更氣體的流量比亦可控制折射率。
節省空間的設計
電控系統收納在別的箱子裡，可節省設備本體的佔地面積(佔地面積：590mm(W) × 2170mm(D))。
因此，可根據客戶端的空間柔軟調整擺設。
透過晶圓承載盤搬送晶圓
可同時處理複數片晶圓(ø2”×9片、ø3”×5片、ø4”×3片)。
可透過更換承載盤來變更晶圓的尺寸。
應用
各種矽系膜的沉積
氮化矽膜、氧化矽膜、非晶質矽膜
