液態源沉積(LSCVD)設備 PD-270STLC
最大ø236 mm的晶圓承載盤(ø3" x 5, ø4" x 3, ø8" x 1)

概要

PD-270STLC是研發型設備，可低溫沉積(80 ~ 400°C)並可達到高沉積速率(>300 nm/min)的電漿增強型CVD設備。莎姆克獨特的LSCVD設備採用自給偏壓沉積技術，可沉積低應力的SiO₂膜並可達到極厚的厚度(最厚可達100 µm)。
此設備搭載了晶圓搬送腔體(Loadlock chamber)，可確保製程的穩定性。ø236 mm的晶圓承載盤可實現多片小尺寸晶圓的同時沉積，比如4吋晶圓的話可同時設置3片。此外，此設備也搭載了晶圓裝卸腔體(Cassette chamber)，可連續自動搬送晶圓。

特色

  • 晶圓承載盤最大尺寸為 ø236mm，可設置5片3吋、3片4吋或1片8吋的晶圓
  • 自我偏壓的陰極耦合技術可實現高沉積速率 (>300 nm/min) 及低應力的薄膜
  • 透過低溫沉積可在塑料表面上沉積薄膜
  • 高深寬比結構也可達到優秀的階梯覆蓋性
  • 利用液態鍺(Ge)、磷(P)、硼(B)前驅物(Liquid precursor)來控制反射率
  • 優秀的均勻性及製程重複性

應用

  • 塑料表面上保護膜的沉積
  • 3D LSI導孔(Via)側壁上絕緣膜的沉積
  • 光波導的光纖核心 (Core)、外殼(cladding)的加工
  • 微機電系統(MEMS)製造中需要的罩幕層的加工
  • 高深寬比結構(如：MEMS元件)的覆蓋
  • SAW元件的溫度補償膜及鈍化膜的沉積

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