液態源沉積(LSCVD)設備 PD-200STL
最大可對應ø200mm (8")晶圓，晶圓搬送腔體
概要
PD-200STL是研發型設備，可低溫沉積(80 ~ 400°C)並可達到高沉積速率(>300 nm/min)的電漿增強型CVD設備。 莎姆克獨特的LS-CVD設備採用自給偏壓沉積技術及TEOS液態源，可沉積低應力的SiO₂膜並可達到極厚的厚度(最厚可達100 µm)。
PD-200STL精簡型的設計將佔地空間壓縮至最小。另外，晶圓傳送腔體將反應腔體與大氣環境隔離，因此可提高製程的重複性。
特色
- 最大可加工ø200 mm (8")的晶圓
- 陰極耦合的自給偏壓技術，實現低應力膜的高速率沉積(>300 nm/min)
- 透過低溫沉積可在塑料表面上沉積薄膜
- 高深寬比結構也可達到優秀的階梯覆蓋性
- 利用液態鍺(Ge)、磷(P)、硼(B)前驅物(Liquid precursor)來控制反射率
- 精簡型設計將佔地空間縮至最小
應用
- 塑料表面上保護膜的沉積
- 3D LSI導孔(Via)側壁上絕緣膜的沉積
- 光波導的光纖核心 (Core)、外殼(cladding)的加工
- 微機電系統(MEMS)製造中需要的罩幕層的加工
- 高深寬比結構(如：MEMS元件)的覆蓋
- SAW元件的溫度補償膜及鈍化膜的沉積
