液態源沉積

液態源化學氣相沉積(CVD)系統是專爲R&D及小規模生產的低溫(80 ~ 400°C), 高速率(>300 nm/min) 電漿輔助化學氣相沉積系統(PECVD). Samco獨特的LSCVD系統採用自給偏壓沉積技術及TEOS進行沉積SiO2. 薄膜應力小，且膜厚能從薄到極厚(up to 100 µm).

特色

LSCVD是擁有獨特技術的電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)系統. 利用液態源TEOS及能在低溫下(80~300°C)沉積無應力的SiO2膜. 強力的電漿鞘電場環繞陰極耦合工作臺面產生高度離子能量，在低應力下沉積薄到極厚(up to 100 μm)的二氧化矽薄膜. 不止如此, LSCVD™能保持沉積面的形狀, 加上高對比的孔洞沉積能力使這一個系統特別適合用於TSV及MEMS的製程.

FAQs about 液態源沉積

一般的自給偏壓陽極耦合CVD系統和陰極耦合CVD系統之間有什麽差別?
差別是相對於RF電極的試片擺放位置. 別於放置試片於陽極電極,陰極耦合CVD系統利用試片擺放於陰極耦合電極,使陰極耦合CVD系統的自給偏壓電壓效能可以最大化.
為什麽LSCVD是TSV製程所需要的?
半導體技術一直以來都是按摩爾定律發展. 然而，當線寬縮小到22 nm, 要更加地縮小線寬已經越來越困難. 現在有一個新技術TSV(Through Silicon Via)備受矚目. TSV是3次元地連接電路板, 需要低溫沉積高覆蓋的絕緣膜. 一般SiH4是用於沉積SiO2膜，但是因爲氣體本身有毒性且具有引爆性而不安全. Samco和ucp共同合作尋找可以取代SiH4的液體源TEOS, 已經20多年.

LSCVD系統是使用液體元為前驅物的電漿CVD系統. TEOS相較於SiH4，能更簡便及安全地使用，還可以產生與SiH4相同的優良膜質. LSCVD系統不只可以沉積SiO2薄膜，也可以使用hydrocarbon liquid monomer前驅物沉積DLC薄膜. 具有陰極耦合的LSCVD是samco獨特的技術. 陰極耦合使液體源氣化並有效地運用離子. 在陰極的高電場可以精密地控制離子能量，達成良好的膜應力及高密度的覆蓋性. 再加上陰極耦的自給偏壓可聚集離子促進膜沉積以達成低溫沉積的效果.

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