原子層熱沉積(Thermal ALD)設備 AL-1
無孔洞薄膜沉積
概要
透過交替供應有機金屬原材料和氧化劑至反應腔體内，且只利用表面反應進行沉積，AL-1可達成薄膜厚度的高控制性及良好的階梯覆蓋性。薄膜厚度能以原子級控制，於高深寬比的孔洞內壁內亦可達到高覆蓋性和高均勻性。有機金屬材料和反應劑分別使用TMA和H₂O時沉積出來的氧化鋁膜(AlOx)，在沉積溫度為350℃時可得到7.5MV/cm的高絕緣破壞強度，可應用於次世代功率半導體的匣極高耐壓膜。此設備可同時處理3片4吋晶圓。
特色
良好的沉積效率
利用數十毫秒的脈衝供應, 能降低原材料的損耗及改進沉積效率。
抑止溫度不均勻，保持乾淨的真空
反應腔體內壁載有內壁加熱器，可抑止反應腔體內產生溫度不均勻的問題並維持乾淨的真空環境。
無針孔的薄膜沉積
腔體的設計避免複數種原料於反應腔體內混合在一起，因此可防止微粒產生，沉積無針孔的薄膜。
應用
- 次世代功率半導體的閘極氧化膜及鈍化膜的沉積
- MEMS等3D結構上的薄膜沉積
- 雷射共振腔表面的薄膜沉積
- 奈米碳管的鈍化膜
