原子層沉積(ALD)
原子層沉積(ALD)是一個可以在電子原件(功率器件&射頻原件)沉積無針孔及均匀的絕緣膜的薄膜成膜技術. ALD提供卓越的高對比溝槽及導通孔結構上的覆蓋性. 膜厚可控制至angstrom等級，並可藉由連續, 自我侷限反應調整膜結構. Samco提供高彈性的蓋板上掀式熱沉積ALD系統AL-1及真空預載(loadlock)型電漿輔助ALD系統AD-230LP.
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電漿輔助沉積(ALD)設備 AD-230LP
適合沉積電子元件用的絕緣膜和鈍化膜
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原子層熱沉積(Thermal ALD)設備 AL-1
原子級控制薄膜厚度
電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)
電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)是利用反應氣體轉爲電漿狀態時,所產生的活性基及離子的在基板上的化學反應形成薄膜的技術. 使用在化合物半導體及砂半導體製程上的氮化矽的保護膜(SiN) 及界層絕緣的氧化矽膜(SiO₂)的沉積.
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電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)設備 PD-220NL
適合研發用途，具有晶圓搬運腔體的精簡型設備
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電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)設備 PD-2201LC
可對應晶圓承載盤 (cassette) 的量產型設備
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電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)設備 PD-3800L
多片晶圓處理設備
液態源沉積
液態源化學氣相沉積(CVD)系統是專爲R&D及小規模生產的低溫(80 ~ 400°C), 高速率(>300 nm/min) 電漿輔助化學氣相沉積系統(PECVD). Samco獨特的LSCVD系統採用自給偏壓沉積技術及TEOS進行沉積SiO2. 薄膜應力小，且膜厚能從薄到極厚(up to 100 µm).
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液態源沉積(LSCVD)設備 PD-200STL
對應8吋晶圓的研發型設備
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液態源沉積(LSCVD)設備 PD-270STLC
具有晶圓裝卸腔體的量產型設備
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液態源沉積(LSCVD)設備 PD-330STC
可處理ø300mm晶圓
類鑽石碳膜沉積(DLC)
類鑽石碳膜(DLC)是一種利用電漿輔助化學氣相(PECVD)於基板上沉積DLC膜的製程. Samco的DLC膜製程可以利用離子的高能量沉積極精密的膜. 這種膜有高阻隔的效能.
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類鑽碳膜(DLC)沉積設備 PD-100D
類鑽碳膜(DLC)專用的沉積設備
