產品

化學氣相沉積

  • 原子層沉積(ALD)

    原子層沉積(ALD)是一個可以在電子原件(功率器件&射頻原件)沉積無針孔及均匀的絕緣膜的薄膜成膜技術. ALD提供卓越的高對比溝槽及導通孔結構上的覆蓋性. 膜厚可控制至angstrom等級，並可藉由連續, 自我侷限反應調整膜結構. Samco提供高彈性的蓋板上掀式熱沉積ALD系統AL-1及真空預載(loadlock)型電漿輔助ALD系統AD-230LP.

  • 電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)

    電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)是利用反應氣體轉爲電漿狀態時,所產生的活性基及離子的在基板上的化學反應形成薄膜的技術. 使用在化合物半導體及砂半導體製程上的氮化矽的保護膜(SiN) 及界層絕緣的氧化矽膜(SiO₂)的沉積.

  • 液態源沉積

    液態源化學氣相沉積(CVD)系統是專爲R&D及小規模生產的低溫(80 ~ 400°C), 高速率(>300 nm/min) 電漿輔助化學氣相沉積系統(PECVD). Samco獨特的LSCVD系統採用自給偏壓沉積技術及TEOS進行沉積SiO2. 薄膜應力小，且膜厚能從薄到極厚(up to 100 µm).

  • 類鑽石碳膜沉積(DLC)

    類鑽石碳膜(DLC)是一種利用電漿輔助化學氣相(PECVD)於基板上沉積DLC膜的製程. Samco的DLC膜製程可以利用離子的高能量沉積極精密的膜. 這種膜有高阻隔的效能.

更多資訊

蝕刻

自從1979年SAMCO成立以來, SAMCO開發了多項乾蝕刻專業技術. 至今我們的產品線包含直開式, 真空預轉載式(loadlock), 晶盒裝卸式(Cassette)系統. 可滿足R&D及量產雙方客戶的需求.

  • 感應耦合電漿蝕刻

    爲了滿足R&D及量產等各個客戶對高密度電漿製程的需求, Samco推出了許多專業級電感偶合式電漿蝕刻(ICP)系統. 我們可靠, 耐用及精緻的ICP蝕刻系統可讓您處理多種類的材料(三五族化合物半導體(GaN, GaAs, InP), 矽晶, SiC, 石英, 玻璃, 電介質及金屬).

  • 矽深蝕刻

    爲了MEMS原件加工及TSV導通孔蝕刻, Samco推出了矽深蝕刻反應離子(DRIE)系統. Samco是日本第一家半導體設備廠商提供使用Bosch製程的DRIE系統. 我們的系統具有領先業界的製程能力, 且產品線涵蓋R&D及量產雙方的需求. 也有針對高產量的生產, 配備兩個反應腔的設備.

  • 反應離子蝕刻

    Samco提供可靠及耐久的反應離子蝕刻(RIE)系統給R&D及量產客戶. 省空間的精小RIE蝕刻系統適合學術上的使用及IC的失效分析芯片處理. 大氣下直接取放的RIE系統提供廣汎的製程範圍給電漿蝕刻多種材料(矽, 介電質層, 化合物半導體，金屬, 高分子層及光阻). 晶圓盒裝卸的RIE系統能提升半導體元件製造的產出量.

  • 矽材犧牲層蝕刻(XeF2)

    Samco的二氟化氙(XeF2)蝕刻系統, 主要用於MEMS(微機電系統)元件加工時的矽材犧牲層的蝕刻. 乾式製程可以避免濕式蝕刻因摩擦而破壞元件的問題, 也可以省下濕式蝕刻時所需要的前置及後段處理. 這也是1台桌上型的精小設計系統.

更多資訊

表面處理

使用氣體去除晶圓上有機污染物的乾式清洗技術，被視爲可以解決濕式化學清洗的相關問題. 因此Samco提供塑封裝及IC導線架的表面處理用的電漿清洗及紫外臭氧清洗系統。

  • Aqua Plasma (水蒸氣電漿）

    Aqua Plasma®清洗機主要使用水蒸氣(H₂O)處理. 此系統可以安全又環保地進行表面處理，例如金屬的氧化還原, 有機污染物的清除, 樹脂粘合及超親水化.

  • 電漿清洗

    Samco的電漿清洗機是利用平行板系統清除試片表面有機及無機污染. 反應腔可依使用者的需求安裝多層電極棚. 有彈性的電極棚組合可支援從研究到量產的各式各樣的批次製程.

  • 紫外光臭氧清洗

    Samco的紫外光臭氧清洗機是使用紫外光, 臭氧及加熱工作台面的獨特組合，溫和又有效地從多種基板上去除有機物. 基板包含矽, 玻璃, 化合物半導體(GaN, SiC, GaAs, and InP), 藍寶石, 陶瓷等. 本公司的產品線有精小桌上型及晶圓盒裝卸型系統可滿足R&D及量產客戶的需求.

更多資訊

索取資料