当社は、ALD（Atomic Layer Deposition, 原子層堆積）※1装置や、ミストCVD※2装置の開発と販売を目的として、2022年3月20日付で、ナノ薄膜開発センター（建築面積413.90 m2）を立ち上げます。
新たに立ち上げるナノ薄膜開発センター（旧 基盤技術研究所）
近年、ALD装置は、電子デバイス用途でニーズが拡大しているほか、医療・ヘルスケア分野での容器や医療器具へのコーティング技術などの市場が新たに立ち上がりつつあります。市場ニーズの拡大に対応し、新市場への参入を目的に、当社は旧 基盤技術研究所を改組し、ナノ薄膜開発センターを立ち上げるに至りました。建築面積413.90 m2で、デモ用の成膜装置や各種測定・評価装置を設置しています。
ナノ薄膜開発センターでは、ALD装置を中心とする薄膜形成装置の開発と、ナノレベルの酸化膜や窒化膜を中心とした成膜プロセス技術の開発、薄膜特性の基礎研究や物性評価などに注力いたします。2015年に販売を開始した半導体・電子デバイス分野向けALD装置の改良・生産装置対応を進展させるとともに、医療・ヘルスケア分野向けには、バリア膜やコーティング膜、医療材料、インプラント材料のコーティングなどの用途に対応した新規装置開発にも注力いたします。
現状、当社のALD装置の年間売上高は3億円程度ですが、5年後には年間売上高30億円規模に拡大させる計画です。また、現状8名程度の人員についても、3年後を目途に20名規模に増員を予定しております。
※1 ALD（Atomic Layer Deposition, 原子層堆積）
気相成膜技術の一つ。基板上に原料の供給と余剰原料のパージを繰り返すことで原子層一層ずつを成膜する手法。例えば、酸化膜や窒化膜の成膜において、原料ガスが表面反応により一層形成され成長が止まる自己停止機能により、一層ごとの膜形成を繰り返すLayer by layerの成膜が可能。高アスペクト比の構造への成膜や膜厚制御性に優れる。
※2 ミストCVD（Chemical Vapor Deposition）
原料となる溶液を霧状にしてキャリアガスで反応室の試料上へ運び、反応させる成膜手法。大気圧プロセスであるため、真空容器が不要で、設備コストが比較的安価となる。次世代パワーデバイスとして注目を集める酸化ガリウムの成膜手法として期待されている。
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広報・IR室 土橋 篤志
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