当社は、2012年12月にSiC（炭化ケイ素）用ドライエッチング装置の新製品『RIE-600iP』とSiO2（酸化ケイ素）、SiN（窒化ケイ素）薄膜形成用プラズマCVD装置『PD-3800L』にウエハー移載機能を追加した新バリエーション装置の販売を開始しました。
　SiCパワーデバイスは省エネルギー効果が大きく、グリーンエレクトロニクスの要として期待されています。『RIE-600iP』はSiCの高速かつ高精度な加工を実現した装置として新聞各紙で広く紹介されました。また、ウエハー移載機能付きプラズマCVD装置は、歩留り改善と省力化を実現したLED（発光ダイオード）やLD（半導体レーザ）、次世代パワーデバイスなど化合物半導体プロセス向けのSiO2、SiN薄膜形成用の量産装置として紹介されました。

　SiC用ドライエッチング装置『RIE-600iP』の紹介記事
　　日経産業新聞　　 2012年11月28日（水）　『SiC製パワー半導体　サムコが製造装置』
　　日刊工業新聞　　 2012年11月28日（水）　『パワー半導体ドライエッチング装置　サムコ、SiC向け投入』
　　フジサンケイビジネスアイ　2012年12月 3日（月）　『ドライエッチング装置を開発　SiCパワーデバイス向け　サムコ』
　　京都新聞　　　　　 2012年12月 7日（金）朝刊　『パワー半導体の製造装置　成長市場 京の2社発売』
　　半導体産業新聞　2012年12月12日（水）　『サムコ　新SiCエッチャー　コイル改良で印加安定』

　ウエハー移載機能付きプラズマCVD装置の紹介記事
　　半導体産業新聞　2012年12月12日（水）　『サムコ　CVD装置に移載機能を追加』