2007年11月より本社社屋に近接する製品サービスセンターの北隣（伏見区竹田藁屋町67番地）に建設していた第2研究開発棟が完成し、2008年3月6日に竣工式を行いました。同研究棟では、次世代半導体材料として期待される窒化物材料（GaNなど）や酸化物材料（ZnOなど）、強誘電体材料などの材料および結晶成長の装置化研究を行います。

　当社は化合物半導体プロセス装置に注力し、同分野向けにエッチング装置やCVD装置を拡販し、売上を大きく伸ばしてきました。今後さらに期待される窒化物、酸化物材料の研究および装置化事業を加速させ、化合物半導体プロセスのトータルソリューション提供を目指します。 また、第2研究開発棟は、当社が積極的に進める国内外の大学や研究機関との産学連携の拠点としても活用していきます。


完成した第2研究開発棟