圧電体、焦電体、誘電体、強誘電体に関する国際会議である『The 16th International Symposium on the Applications of Ferroelectrics（ISAF2007）』が5月27～31日に奈良新公会堂で開催されました。

　当社は、ケンブリッジ大学と強誘電体薄膜の共同研究を進めており、積極的に学会発表を行っています。
　今回は、『Misted deposition of [3D] Trenches for DRAMS and FRAMS Ⅲ. PZT Thin Films and PZT Nanotubes』1)というテーマでミストデポジション法による強誘電体薄膜および強誘電体ナノチューブの作製と評価について発表しました。
　これは、昨年行なわれた『18th International Symposium on Integrated Ferroelectrics (ISIF2006) 』にて発表したI.RuO2 electrode , II. PZT thinfilmsに続く、第三弾です。
　ボッシュプロセス専用高速シリコンディープエッチング装置を用いてシリコン基板をトレンチ構造に加工し、これをナノチューブ作製用のテンプレートにするというユニークな技術を紹介しましたが、MEMS関係の研究者も多数来場しており、高速シリコンディープエッチング装置へも多くのお問い合わせを頂きました。

　当社は生産用装置を"Cシリーズ"として開発、市場投入、拡販を行なっています。
　"Cシリーズ"はCVD装置として「PD-270STLC」など2機種、エッチング装置として「RIE-200iPC」など3機種がラインアップされており、サービス体制の強化に務めた他、高い信頼性が評価されています。
　その結果、Cシリーズの売上に占める割合は年々増加しており、06年7月中間期では40％程度であったものが、07年度中間期では65％以上を占めるまでに増加しており、今後も生産対応装置の出荷数は増加が予想されています。

　その後、当社生産技術研究棟会議室におきましてケンブリッジ大学のスコット教授による講演会が行われ、活発な議論が交わされました。