『Green Device Innovation ～Wide Band-gap Materials～ 』をテーマに、ワイドギャップ半導体であるSiC、GaNの加工技術を中心に紹介します。LEDの生産性向上に大きく寄与する化合物半導体プロセス用ICPエッチング装置「RIE-330iPC」、3次元LSIプロセスへの応用で高く評価されているTEOS-SiO2膜形成用プラズマCVD装置「PD-330STC」、MEMS/TSV分野の生産に対応したボッシュプロセス対応の高速シリコンディープエッチング装置「RIE-800iPBC」といった業界をリードする製品群の最新の技術データを紹介する予定です。
最新かつ豊富な技術･マーケティング情報を得られるセミコン・ジャパン2011にぜひお越しください。
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SEMICON Japan 2010の当社ブースの様子