RIE-10NRによるSiO2のトレンチ加工例。
SiO2エッチングレート ：18 nm/min
選択比（SiO2 /PR） ：0.83
レジスト側壁角度を維持したままSiO2のトレンチ加工を実現しています。深さは540 nm。レジストとの選択比は0.8 ~ 1.0で、マイクロトレンチの発生は抑制しています。さらに、時間管理により下地のSiをほとんどエッチングすることなく、SiO2をエッチングすることが可能です。
また、ø6"のパターンなしのSiO2膜付きSiウエハの加工で、面内均一性±1%（edge 15 mm）を実現しています。
