ICPエッチング装置による、SiC基板裏面から電極へのコンタクト用のビアホール加工結果。金属の埋め込みを容易にするため、ホール開口部を順テーパー形状に加工しています。
SiCのビアホールエッチングには高いレートが求められる一方で、デバイスへのダメージの低減やサンプル温度上昇の抑制が求められます。サンプルは、SiC基板を樹脂で支持体に貼り付けられますので、樹脂の耐熱温度以下でのエッチングが要求されます。ここでは、ウエハの温度が150℃以下の状態で、1.3μm/minの高速エッチングが異方性よく実現しています。
