Φ6インチウエハのトレンチ加工

ICPエッチング装置によるSiC MOSFETのトレンチゲート加工。
側面が平滑で、サブトレンチレスのラウンド形状を実現した。
・深さ：2 μm
・レート：450 nm/min以上
・SiC/SiO₂選択比：5以上
・Φ6インチ面内均一性：±3%以下

使用している製品

RIE-800iP

RIE-800iPC

　　　　　　

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