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《電子技術総合研究所 電子デバイス部 ご提供》
ロードロック式平行平板型RIE装置による、XMOS(Double-gate MOS)素子のPoly-Siゲートエッチングの結果です。
幅20～16nmマスクを用いて、Poly-Siの垂直な異方性エッチングを達成しています。
使用している製品
RIE-200NL
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