5層Al配線の欠陥解析
平行平板型RIE装置による5層Al配線を露出する欠陥解析。
Al配線を残したまま、パッシベーション膜であるシリコン窒化膜(SiN)と層間絶縁膜であるシリコン酸化膜(SiO₂) の除去が達成できています。
この他にも、ポリイミド残渣を抑制したプロセス、Low-k 有機系シリコン層間絶縁膜の除去、多層Al配線の逐次除去、Poly-SiやTiNの高選択比プロセス、タングステンプラグの露出、樹脂開封(デキャップ)を行ってきました。そして、欠陥解析用の装置として、卓上型の小型RIE装置、ø300mm対応の平行平板型RIE装置や、静電チャック(ESC: Electrostatic chuck)とHeによる冷却機構を備えたICPエッチング装置をラインナップしており、お客様の要望に応じて幅広いソリューションと、最適な装置の提案が可能です。
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