ボッシュプロセスによるパターン幅50 μm で深さ128 μmの高速Si深掘り加工。レジストマスクとの選択比を十分に取り、形状を制御しつつ、エッチングレート 18 μm/minの深掘りを実現しています。

使用している製品

RIE-400iPB

　　　　　　

一覧へ