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製品情報
シリコンの加工
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製品情報
プロセスデータ
シリコンの加工
ボッシュプロセスによるSi深掘りや、ICPエッチング装置やRIE装置によるナノレベルの高精度加工の結果です。
Si深掘り(ボッシュプロセス)
ø30 nmのナノピラー形成
アスペクト比80のSi深掘り
ø70 nmのナノホール加工
18 μm/minの高速Si深掘り
マイクロエミッターアレイの作製
ねじり梁型共振ミラーの作製
深さ450 μmのピラー加工
深さ400 μm順テーパー加工
アスペクト比52のSi深掘り
ポストカラムミキサーの作製
アスペクト比23のSi深掘り
深さ500 μmの貫通加工
インプリント用の型の作製
マイクロ流路の作製
Si深掘り(非ボッシュプロセス)
TSV向け開口部の広い深さ126 μmの加工
シリコンナノデバイスの微細ボッシュ加工
Si、Poly-Si、SiNのエッチング
ナノポアデバイスの作製
ナノインプリントモールド
Poly-Siの20nm幅加工
FED用エミッタチップ
マイクロタス(Micro-TAS)
欠陥解析
シリカトロイド微小光共振器
パリレンの可動体
螺旋状の構造体
SiO₂のエッチング
RIE装置によるSiO
2
のトレンチ加工
石英ガラスの立体加工(10μm角の四角錘構造)
石英ガラスの立体加工(ø50 μmの段階構造)
石英ガラスの微細加工
SiO₂のグレーティング形成
SiO₂の高速加工
石英の150 μm深掘り
SiCのエッチング
SiCのトレンチエッチング
SiCのビアホール加工
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