《産業技術総合研究所 西井準治先生 金高健二先生 ご提供》
TEOSを用いたLS(Liquid Source) CVD®装置によりF-SiO₂を作製し、反応性イオンエッチングとHF水溶液で湿式エッチングを連続して行った。F添加量を厚み方向に徐々に変化させた傾斜薄膜では、勾配が制御させた斜めエッチングが可能であり、機能集積チップの作製方法として有効であることが確認された。形状を制御することにより、偏光依存機能や波長選択機能などを付与することが可能である。用途としては光情報通信用のデバイスが考えられる。
