日本語
MENU
閉じる
《産業技術総合研究所 西井準治先生 金高健二先生 ご提供》
SiO₂基板上に所定のリフロー温度となるよう、LSCVD®装置でP、BドープのSiO₂のレンズ層を形成し、これをICPエッチング装置で円柱状にドライエッチングしたあと、リフロー(900~1150℃の範囲)を行いレンズを形成した。
レンズの曲率は、エッチング条件、膜厚、リフロー温度などで制御が可能である。
使用している製品
PD-100ST
RIE-200iP
技術資料
前へ
一覧へ
↑