AlGaN界面でのエッチストップ

p-GaN層をエッチングしきって、AlGaN層を露出させる加工。GaN/AlGaNの高選択比加工が求められ、選択比50以上での加工が可能です。また、AlGaN表面が平滑なまま加工されています。

使用している製品

RIE-200iP

　　　　　　

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