GaAsデバイスの歩留まり向上に

ICP(Inductively Coupled Plasma)エッチング装置を用いてチッピングの無い、スクライブラインの狭い加工を行い、さらにスクライブ底面に先端の尖ったV字形状を施して、ブレーキン グし易いGaAsプラズマスクライビングを行いました。

幅 11μm、深さ50μmを加工することが可能で、エッチング速度は約10μm/min。

使用している製品

RIE-200iP