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ICP(Inductively Coupled Plasma)エッチング装置を用いてチッピングの無い、スクライブラインの狭い加工を行い、さらにスクライブ底面に先端の尖ったV字形状を施して、ブレーキン グし易いGaAsプラズマスクライビングを行いました。
幅 11μm、深さ50μmを加工することが可能で、エッチング速度は約10μm/min。
使用している製品
RIE-200iP
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