Si犠牲層エッチング装置 VPE-4F
シリコン犠牲層エッチング装置
概要
VPE-4Fは、MEMSプロセスにおける自立デバイス形成時の犠牲層（Si）エッチングを主目的とするXeF₂エッチング装置です。ドライプロセスであるため、ウエットプロセスで問題となるスティクション（張り付き）による自立デバイスの破壊を回避し、ウエットプロセスにおける前処理、後処理が不要です。また、卓上型で非常にコンパクトな設計になっています。
特長
電気的ダメージのないドライプロセス
プラズマを使用しないため、電界による素子へのダメージ(電子またはイオン衝撃)がありません。
エッチングレートの制御
ガスを断続的に流し、エッチングすることによりエッチングのスピードおよびガスの使用量の制御が容易です。
コンパクト
設置スペースが小さい卓上型装置です。また、専用機であるため、高いコストパフォーマンスを誇っています。
応用例
MEMSプロセスにおける、自立デバイス形成時の犠牲層（Si）エッチング
