平行平板型RIE装置 RIE-10NR
CCP-RIEの業界標準装置

概要

本装置は、Si、Poly-Si、SiO₂、SiNなどの各種シリコン薄膜、有機物、樹脂、金属や誘電体の加工を目的としたオープンロード式のリアクティブイオンエッチング (RIE: Reactive Ion Etching) 装置です。独自のガス導入方式と四方向排気構造を備えた反応室により良好な均一性と再現性を有します。累計600台の納入実績と豊富なプロセスライブラリを有する、信頼性の高いRIE装置です。

特長

  • 最大⌀8インチウエハの枚葉処理、小径ウエハの多数枚同時処理
  • 対称なガスフローによる良好な均一性を実現する四方向排気
  • コンパクトなフットプリントを実現する省スペース設計
  • 各種インターロックと異常検知機能による安全な運用
  • タッチパネル操作による自動運転とレシピ管理(100レシピ、10ステップ)

応用例

  • 欠陥解析用SiO2、SiNの選択加工
  • 化合物半導体デバイス用SiO2マスク加工
  • Siの加工
  • センサー用Pt、Moなどの金属加工
  • 有機物、樹脂の加工
  • ディスカム、アッシング

オプション

  • SUS製防着板追加
  • 電極間隔変更
  • 分光型エンドポイントモニター
  • アノード/カソード切り替え機構

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