製品情報ICPエッチング装置 RIE-800iPC

本装置は放電形式に誘導結合プラズマ（Inductively Coupled Plasma: ICP）を採用したカセット式高密度プラズマエッチング装置です。最大8インチウエハーに対応しており、GaN、GaAs、SiC、誘電体、金属など様々な材料の高速、高均一加工が可能です。真空カセット室を備えプロセス再現性に優れた生産用装置です。

• ICPソースに「HSTC™: Hyper Symmetrical Tornado Coil」を採用し、高RFパワー（2 kW以上）を効率よく安定して印加可能。
• ESC（静電チャック）とHeによりウエハーの安定した温度制御が可能。
• 反応室直結の排気システムを採用することで、小流量・低圧力域から大流量・高圧力域の幅広いプロセスウィンドウを実現。
• 下部電極昇降機構により、ウエハーとプラズマ間距離を最適化し、良好な面内均一性を実現。
• 発光分光型または干渉型のエンドポイントモニターによる終点検出が可能。

• GaAs VCSELのメサ加工
• GaN/AlGaNの高選択比加工
• GaNのリセス加工
• 縦型GaNパワーデバイスのトレンチ加工
• SiC MOSFETのトレンチ加工
• SiO2、SiNの加工
• PZT、BST、SBTなど強誘電体の加工
• Al、Cr、Ni、Ruなど金属の加工

• 反応室 2室（型式RIE-802iPC）
• 干渉型エンドポイントモニター
• 発光分光型エンドポイントモニター