製品情報ICPエッチング装置 RIE-800iP

本装置は、放電方式に誘導結合プラズマ（Inductively Coupled Plasma: ICP）方式を採用した生産用ICPエッチング装置です。独自のICPソースであるHSTC™（Hyper Symmetrical Tornado Coil）を搭載し、安定した高速・高均一加工を実現します。ロードロック室を備え、最大ø200mm（ø8"）のウエハ処理に対応しており、優れたプロセス再現性を発揮します。化合物半導体や電子部品の製造において、高い信頼性を誇ります。

• ICPソースに「HSTC™: Hyper Symmetrical Tornado Coil」を採用し、高RFパワーを効率よく安定して印加可能。
• ESC（静電チャック）とHeによりウエハの安定した温度制御が可能。
• 反応室直結の排気システムを採用することで、小流量・低圧力域から大流量・高圧力域の幅広いプロセスウィンドウを実現。
• 下部電極昇降機構により、ウエハとプラズマ間距離を最適化し、良好な面内均一性を実現。
• 発光分光型および干渉型のエンドポイントモニターによる終点検出が可能。

• GaN/AlGaNの高選択比加工
• GaNのリセス加工
• 縦型GaNパワーデバイスのトレンチ加工
• GaAs VCSELのメサ加工
• SiC MOSFETのトレンチ加工
• SiO2、SiNの加工
• PZT、BST、SBTなど強誘電体の加工
• Al、Cr、Ni、Ruなど金属の加工

• 干渉型エンドポイントモニター
• 発光分光型エンドポイントモニター