製品情報ICPエッチング装置 RIE-800iP

本装置は、放電に誘導結合プラズマ方式を採用したICP (Inductively Coupled Plasma) エッチング装置です。独自のICPソースであるHSTC™ (Hyper Symmetrical Tornado Coil) を搭載し、安定した高速・高均一加工を実現します。ロードロック室を備え、最大ø8インチウエハの枚葉処理に対応しており、優れたプロセス再現性を誇ります。当社は、化合物半導体や電子部品などの加工において、長年の経験と高度な技術で多様なニーズにお応えします。

• ICPソース「HSTC™」により高RFパワーを効率よく安定して印加可能
• ESC（静電チャック）とHeによりウエハの安定した温度制御が可能
• 反応室直結の排気システムにより、小流量・低圧力域から大流量・高圧力域の幅広いプロセスウィンドウを実現
• 下部電極昇降機構により、ウエハとプラズマ間距離を最適化し、良好な面内均一性を実現
• 発光分光型および干渉型のエンドポイントモニターによる終点検出が可能（オプション）

• GaN/AlGaNの高選択比加工
• GaNのリセス加工
• 縦型GaNパワーデバイスのトレンチ加工
• GaAs VCSELのメサ加工
• SiC MOSFETのトレンチ加工
• SiO2、SiNの加工
• PZT、BST、SBTなど強誘電体の加工
• Al、Cr、Ni、Ruなど金属の加工

• 干渉型エンドポイントモニター
• 発光分光型エンドポイントモニター