ICPエッチング装置 RIE-400iP
高真空領域における高精度加工が可能
概要
RIE-400iPは、各種半導体膜や絶縁膜の高精度、高均一加工を目的としたMax.ø4" ウエハ用のロードロック式エッチング装置です。 放電形式には、独自のトルネード型コイルを用いた誘導結合プラズマ (Inductively Coupled Plasma) を採用し、均一な高密度プラズマを生成することが可能です。 また、加工材料や加工内容に応じて適切なプラズマソースを選択することができます。
特長
新型ICPソース「HSTC™: Hyper Symmetrical Tornado Coil」
高RFパワー(2 kW以上)を効率よく安定して印加可能で、良好な均一性を実現します。
大流量排気システム
反応室に直結した排気システムを採用することで、小流量・低圧力域から大流量・高圧力域の幅広いプロセスウィンドウを実現しています。
エンドポイントモニタ対応
干渉型、発光分光型のエンドポイントモニタに対応しており、狙い膜厚での終点検出が可能です。
メンテナンスしやすい設計
TMP(ターボ分子ポンプ)や高周波電源をユニット化し交換を容易にしています。
応用例
・GaN、GaAs、InPなど化合物半導体の高精度エッチング
・半導体レーザやフォトニック結晶の製作
オプション
干渉型エンドポイントモニタ
高精度な終点検出が可能で、狙い通りのエッチング深さに制御できます。