ICPエッチング装置 RIE-400iP
GaN, GaAs, InP, & SiC
概要
本装置は放電形式に誘導結合プラズマ（Inductively Coupled Plasma: ICP）を採用したロードロック式高密度プラズマエッチング装置です。最大4インチウエハーに対応しており、GaN、GaAs、InP、SiC、誘電体、金属など様々な材料の高精度、高均一加工が可能です。
特長
- ICPソースに「HSTC™: Hyper Symmetrical Tornado Coil」を採用し、高RFパワー（2 kW以上）を効率よく安定して印加可能。
- ESC（静電チャック）とHeによりウエハーの安定した温度制御が可能。
- 反応室直結の排気システムを採用することで、小流量・低圧力域から大流量・高圧力域の幅広いプロセスウィンドウを実現。
- 2、3、4インチウエハーの直接搬送枚葉処理が可能。
- 発光分光型または干渉型のエンドポイントモニターによる終点検出が可能。
応用例
- InPのリッジ加工
- InPのグレーティング加工
- GaAs VCSELのメサ加工
- GaN/AlGaNの高選択比加工
- GaNのリセス加工
- 縦型GaNパワーデバイスのトレンチ加工
- SiC MOSFETのトレンチ加工
- SiO2、SiNの加工
- Al、Cr、Niなど金属の加工
オプション
- 干渉型エンドポイントモニター
- 発光分光型エンドポイントモニター
論文
- Kondo, Takaaki, Yoshihiko Akazawa, and Naotaka Iwata. "Effects of p-GaN gate structures and fabrication process on performances of normally-off AlGaN/GaN high electron mobility transistors." Japanese Journal of Applied Physics 59.SA (2019): SAAD02.
- Raj, Vidur, et al. "High-efficiency solar cells from extremely low minority carrier lifetime substrates using radial junction nanowire architecture." ACS nano 13.10 (2019): 12015-12023.
- Papadogianni, Alexandra, et al. "Two-dimensional electron gas of the In2O3 surface: Enhanced thermopower, electrical transport properties, and reduction by adsorbates or compensating acceptor doping." Physical Review B 102.7 (2020): 075301.
- Soo, Joshua Zheyan, et al. "Protocol for scalable top-down fabrication of InP nanopillars using a self-assembled random mask technique." STAR protocols 4.2 (2023): 102237.
- Berthold, Theresa. Gaswechselwirkungsreaktionen mit Indiumoxidschichten und deren Einfluss auf die elektronischen Oberflächeneigenschaften. Diss. Technische Universität Ilmenau, 2018.
関連ページ
当製品以外のICPエッチング装置はこちらからご覧いただけます。
