ICPエッチング装置 RIE-230iPC
トレイ搬送生産装置
概要
本装置は放電形式に誘導結合プラズマ（Inductively Coupled Plasma: ICP）を採用したカセット式高密度プラズマエッチング装置です。⌀230 mm トレイ搬送による小径ウエハーの多数枚同時処理が可能で、GaN, GaAs, InP, 誘電体、金属など様々な材料の加工が可能です。トレイのザグリ形状を変えることで様々なサイズに対応でき、汎用性に優れています。
特長
- ICPソースに「トルネードICP」を採用し、安定した高密度プラズマを効率的に生成可能。
- ESC（静電チャック）とHeにより安定した温度制御が可能。
- 対称なガスフローによる良好な均一性を実現する四方向排気システム。
- 発光分光型または干渉型のエンドポイントモニターによる終点検出が可能。
応用例
- InPのグレーティング加工
- GaAs VCSELのメサ加工
- GaNのメサ加工
- SiO2、SiNの加工
オプション
- 干渉型エンドポイントモニター
- 発光分光型エンドポイントモニター
論文
- Okada, N., et al. "Formation of distinctive structures of GaN by inductively-coupled-plasma and reactive ion etching under optimized chemical etching conditions." Aip Advances 7.6 (2017).
- Ogiya, H., et al. "Improvement of LED luminance efficiency by sapphire nano PSS etching." CS MANTECH conference. 2012.
関連ページ
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