ICPエッチング装置 RIE-230iPC
トレイ搬送生産装置
概要
本装置は、放電に誘導結合プラズマ方式を採用したICP (Inductively Coupled Plasma) エッチング装置です。独自のトルネード ICP®コイルを搭載し、安定した高密度プラズマを効率的に発生させ、化合物半導体、誘電体および金属薄膜の異方性加工が可能です。本装置は、ロードロック室、真空カセット室を備え、カセットにはø230 mmトレイを14枚設置できます。トレイを用いることで、小径ウエハの多数枚同時処理が可能で、トレイのザグリ形状を変えることで様々なサイズに対応でき、汎用性に優れています。
特長
- ICPソースに「トルネードICP®」を採用し、安定した高密度プラズマを効率的に生成可能
- ESC（静電チャック）とHeにより安定した温度制御が可能
- 対称なガスフローによる良好な均一性を実現する四方向排気システム
- 発光分光型または干渉型のエンドポイントモニターによる終点検出が可能（オプション）
応用例
- InPのグレーティング加工
- GaAs VCSELのメサ加工
- GaNのメサ加工
- SiO2、SiNの加工
オプション
- 干渉型エンドポイントモニター
- 発光分光型エンドポイントモニター
論文
- Okada, N., et al. "Formation of distinctive structures of GaN by inductively-coupled-plasma and reactive ion etching under optimized chemical etching conditions." Aip Advances 7.6 (2017).
- Ogiya, H., et al. "Improvement of LED luminance efficiency by sapphire nano PSS etching." CS MANTECH conference. 2012.
関連ページ
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