ICPエッチング装置 RIE-230iPC
概要
RIE-230iPCは、納入実績の豊富なICPエッチング装置『RIE-200iP』での経験をもとに開発した生産対応のトレイカセット式装置です。本装置では、独自のトルネード型コイル電極の採用により、安定した高密度プラズマを効率よく発生させ、シリコンおよび各種金属薄膜、化合物半導体などの高精度の異方性エッチングが可能です。 また、ø230mmトレイにより、化合物半導体の多数枚同時処理が可能です。
特長
トルネード型コイル電極の採用
安定した高密度プラズマを効率よく発生させることができ、高い選択比と高精度で均一性の良いエッチングが可能です。
真空カセット室搭載
カセットにはø230 mmトレイを14枚設置できます。
温度制御
ESCとHeによるステージの温度制御により、安定した条件でのエッチングが可能です。
応用例
・GaN、GaAs、InPなどの化合物半導体の高精度加工
・強誘電体や電極材料など難エッチング材料の加工