ICPエッチング装置 RIE-230iP
概要
本装置は、放電に誘導結合プラズマ方式を採用したICP (Inductively Coupled Plasma) エッチング装置です。独自のトルネード ICP®コイルを搭載し、安定した高密度プラズマを効率的に発生させ、化合物半導体、誘電体および金属薄膜の異方性加工が可能です。ø230 mmのトレイを用いることで、小径ウエハの多数枚同時処理が可能で、トレイのザグリ形状を変えることで様々なサイズに対応でき、汎用性に優れています。
特長
- ICPソースに「トルネードICP」を採用し、安定した高密度プラズマを効率的に生成可能
- ESC（静電チャック）とHeにより安定した温度制御が可能
- 対称なガスフローによる良好な均一性を実現する四方向排気システム
- 発光分光型または干渉型のエンドポイントモニターによる終点検出が可能（オプション）
応用例
- InPのグレーティング加工
- GaAs VCSELのメサ加工
- GaNのメサ加工
- SiO2、SiNの加工
オプション
- 干渉型エンドポイントモニター
- 発光分光型エンドポイントモニター
論文
- Weninger, Drew, et al. "Low Loss Chip-to-Chip Couplers for High Density Co-Packaged Optics." (2024).
- Luo, Xin, et al. "DNA origami directed integration of colloidal nanophotonic materials with silicon photonics." bioRxiv (2025): 2025-01.
- Li, Wenhao, et al. "3D Crystal Construction by Single‐Crystal 2D Material Supercell Multiplying." Advanced Science 12.2 (2025): 2411656.
- Perkinson, Collin Fisher. Interfacial Engineering and Spectroscopy of Spin-Triplet Excitons For Singlet Fission Sensitization of Silicon Solar Cells. Diss. Massachusetts Institute of Technology, 2024.
関連ページ
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