製品情報Si深掘り装置 RIE-800BCT

本装置は、放電に誘導結合プラズマ（ICP: Inductively Coupled Plasma）方式を採用した高速シリコン深掘り装置です。大気搬送部にはエッジプロテクションリングとアライナーを搭載しています。シリコン深掘りに関するボッシュプロセスの特許をライセンス導入しており、MEMSやTSVに求められるシリコンの高速かつ高アスペクト比エッチングが可能です。

• ボッシュプロセス専用ICPコイルにより5,000 Wの高RFパワーを効率よく印加可能
• ガスの高速切り替えにより成膜とエッチングステップを0.1秒で切り替え低スカロップ加工が可能
• レジストとシリコンの選択比 1:500 以上でのエッチングが可能
• 45 μm/min以上の高速シリコン深掘りが可能
• 100 以上の高アスペクト比加工が可能
• チルトを抑制しø8インチウエハでの良好な均一性を実現
• ランピングプロセスに対応（パラメータランピング機能）
• 非ボッシュプロセスによるスカロップフリーと順テーパー加工が可能
• 豊富なプロセスライブラリ

• MEMS（加速度センサ、ジャイロセンサ、圧力センサ、アクチュエータなど）の加工
• インクジェットプリンタヘッドの加工
• シリコン貫通ビア（TSV）の形成
• 電子部品の加工