Si深掘り装置 RIE-400iPB
Si深掘り&SiO2高速加工装置
概要
本装置は、放電に誘導結合プラズマ（ICP: Inductively Coupled Plasma）方式を採用した高速シリコン深掘り装置です。ロードロック室を備え、最大ø4インチウエハの枚葉処理に対応し、優れたプロセス再現性を有します。シリコン深掘りに関するボッシュプロセスの特許をライセンス導入しており、MEMSやTSVに求められるシリコンの高速かつ高アスペクト比エッチングが可能です。また、ICPソースを載せ替えることでSiO2の高速加工も可能です。
特長
- ボッシュプロセス専用ICPコイルによりRFパワーを効率よく印加可能
- ガスの高速切り替えにより成膜とエッチングステップを0.1秒で切り替え低スカロップ加工が可能
- 非ボッシュプロセスによるスカロップフリーと順テーパー加工が可能
- 豊富なプロセスライブラリ
- ICPソースの交換によりSiO2の加工が可能（オプション）
応用例
- MEMS（加速度センサ、ジャイロセンサ、圧力センサ、アクチュエータなど）の加工
- μTASなどの医療機器の加工
- 光学部品の加工
プロセスデータ
論文
- Intrinsic Stress Control of Sol-Gel Derived PZT Films for Buckled Diaphragm Structures of Highly Sensitive Ultrasonic Microsensors
- Sensitivity of Piezoelectric Ultrasonic Microsensors with Sol-Gel Derived PZT Films Prepared through Various Pyrolysis Temperatures
- Low driving voltage Mach-Zehnder interference modulator constructed from an electro-optic polymer on ultra-thin silicon with a broadband operation
- Plate-slot polymer waveguide modulator on silicon-on-insulator
- Numerical and Experimental Analyses of Three-Dimensional Unsteady Flow around a Micro-Pillar Subjected to Rotational Vibration
関連ページ
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